Fotônica de silício: a corrida de TSMC e Broadcom para eliminar o cobre nos datacenters de IA
A corrida dos fabricantes de chips e projetistas de infraestrutura física de rede para superar o estrangulamento de largura de banda dos cabos de cobre atingiu um ponto de virada técnica em junho de 2026. A atenuação de sinal e a perda de energia gerada sob a forma de calor em cabos de cobre de alta frequência limitam o tamanho físico e a velocidade de resposta de supercomputadores compostos por dezenas de milhares de aceleradores gráficos de IA. Para contornar essa parede física intransponível de transmissão de dados, TSMC e Broadcom aceleraram a transição para circuitos ópticos integrados.
A nova tecnologia baseia-se na fotônica de silício (Silicon Photonics) e na óptica co-empacotada (Co-Packaged Optics - CPO).
Em vez de converter os sinais lógicos elétricos para pulsos ópticos em transceptores de plugue volumosos localizados nas bordas externas dos racks de servidores, a tecnologia de CPO integra emissores de laser diretamente no mesmo encapsulamento físico de silício que aloja o chip de computação principal ou o switch de rede. A luz gerada trafega por canais ópticos internos, chamados guias de onda, eliminando a barreira elétrica de interfaces metálicas tradicionais.
A TSMC detalhou em conferências industriais de semicondutores o cronograma fabril para switches ópticos de alta capacidade.
Os novos roteadores lógicos industriais usam empacotamento em três dimensões (COWOS) para empilhar diretamente a eletrônica de controle e o chip fotônico sob uma mesma estrutura de contato integrado. A transição física de barramentos metálicos curtos para interconexões de luz resolve o problema clássico de degradação do sinal elétrico, mantendo a latência estável em patamares ínfimos mesmo sob tráfego severo de dados lógicos complexos de IA.
